东莞市寮步大江研磨材料行
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微电子技术与集成技术的飞速发展，带动了硅电力电子器件的长足进步。然而，受硅材料特性的限制，在兼顾高频大功率和提高温度方面不可能有更大的突破。从大功率应用来看，制造电力电子器件的理想材料应同时具备禁带宽、载流子迁移率高、热导率大灯特点。相比之下，在众多半导体材料中，硅单晶并非理想的选择（见表2）。功率进一步发展，不应在于器件工作原理和结构的研究，必须从使用材料方面突破硅的限制开发新的领域.
宽禁带半导体金刚石的禁带宽、击穿场强高、热导率大、介电常数小、载流子饱和速度高，综合评价不同材料的晶体管的频率和功率特性表明，金刚石不仅优于Si,GaAs等常规半导体，而且比其竞争对手6H-SiC还高出数倍。由于金刚石具有良好的导热性，主要作固体微波器件及固体莱塞器件的散热片。
在莱塞器件的二极管，CW硅雪崩二极管、碰撞雪崩渡越时间二极管和其它器件上都镶有散热片，散热片吸收这些器件工作时所产生的热。没有这样的吸收，器件的效率将会降低，甚至遭到损坏。以前都采用铜做散热片，效果并不理想，1976年美国贝尔实验室报道，利用金刚石做散热片取得了良好效果。同时，金刚石也为微型雷达和通讯设备创造了有利条件。
为了使二极管有效的工作，要求功率密度（单位体积的热耗散量）为，或更多，并使T保持在200℃以下。当用铜做散热片时，二极管最大面积不超过，它能逸散掉功率Q是10.但如果用金刚石散热片，对于同样的功率密度，二极管的面积可增大到所能逸散的功率Q达100,这就是说在微波率方面将提高10倍。在雪崩二极管上镶上金刚石后，可得到大约3的连续波功率，这个功率是镶铜的散热片的类同二极管得到的最大值的4倍。
现有各种类型不同性质的莱塞用于各种目的，半导体莱塞常用砷化镓制造，因为小型轻便具有独特的优点，但如果超过脉动方式的连续工作就存在热的逸散问题。镶在铜上的砷化镓面型莱塞为正常工作需要用液氮冷却到-132℃，而用金刚石散热片能是它在-68℃下正常工作，这就意味着器件可用干冰来冷却，而干冰制冷的设备是很简单的。
在1994年，报到了金刚石肖特基二极管工作温度可达到1000℃，非常适合高温环境下工作。金刚石双极及场效应晶体管的研究也取得了一些进展，但是金刚石双极晶体管是采用天然金刚石做的，只是为了研究，还没有商品化。因为低温低压下合成的n型参杂金刚石还没有解决（p型金刚石通过参杂早已实现，其功率可达，并且已经成熟的应用做半导体器件），且掺杂后形成的n 型金刚石电导率较低，目前达不到做双极晶体管的要求。2003年7月，在美国自然杂志上报道了通过在掺硼形成的p型金刚石中加入氘元素进行氘化，把p型金刚石转化为n型金刚石，在室温下，得到的电导率为2/cm.该项研究成果有可能用于制作出金刚石pn结，则进一步会制作出金刚石二极管和双极晶体管以及各种电路。他们利用微波等离子体CVD法首先制作出500nm 厚的掺硼金刚石薄膜，然后把样品放在氘等离子体中，温度为550℃，保持8个小时，然后分别在520℃，600℃和650℃进行退火，把p型金刚石转化为n型金刚石。可以说，这是目前得到的最高电导率的n 型金刚石。研究表明，在天然金刚石上做的二极管和双极晶体管以及MIS、MES、MOS 场效应晶体管具有很好的性能。在人工低温低压合成的多晶金刚石制作的MISFET,它的 可以达到2.7GHz, 最高振荡频率 为3.8GHz.高压合成金刚石制作的 MESFET的 可以达到2.2GHz, 最高振荡频率为7GHz.2003年9月，有报道日本电报电话公司（NTT）已经开发出一种工作频率为81GHz 的，运行速度高于其他半导体器件2倍的金刚石半导体器件。在材料制造过程中，他们利用一种高纯度的气体消除金刚石晶体中的缺陷和石墨，把材料中的有害杂质减少到原来的0.05,在650℃和750℃下生成金刚石层，其电子迁移率可达1300/（V.s）。NTT 实验室和成功地制造出场效应晶体管（FET）的德国乌尔姆大学合作，利用NTT 实验室的金刚石薄膜技术正在研发金刚石半导体器件。 NTT 正致力于进一步减少材料中的杂质以增加金刚石晶体的纯度，使器件的工作频率达到200GHz,输出功率为30W/mm 的要求。他们期望金刚石器件能够在数字电视广播站的接收机、发射机这类高频高功率应用环境中取代真空管。因此可以预见，只要解决金刚石高质量、大面积、单晶膜的制备技术，金刚石半导体器件和集成电路因其优越的性能将在Si、SiC 和GaN 半导体器件和集成电路难以适用的环境中得到广泛应用。另外。金刚石有极高的热导率，更适于制作微波功率器件及集成电路。